开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸发前途关于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互统一的条件背地做出选用，那是常有的事。而咱们当天探讨的这个话题就是一对相互统一的条件。（即要限度主MOS管最大反峰，又要RCD吸发前途功耗最小）在探讨前咱们先做几个假定：①开关电源的上班频率范畴:20~200KHZ；②RCD中的二极管正导游通期间很短（普通为几十纳秒）；③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输入线路的参数曾经齐全确定。有了以上几个假定咱们就可以先启动计算：一﹑首先对MOS管的VD启动分段：ⅰ，输入的直流电压VDC；ⅱ，次级反射初级的VOR；ⅲ，主MOS管VD余量VDS；ⅳ，RCD排汇有效电压VRCD1。二﹑关于以上主MOS管VD的几局部启动计算：ⅰ，输入的直流电压VDC。在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选用AC265V，即DC375V。VDC＝VAC*√2ⅱ，次级反射初级的VOR。VOR是依在次级输入最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输入电压为：5.0V±5%（依Vo=5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额外电流下VF值）．VOR＝(VFVo)*Np/Nsⅲ，主MOS管VD的余量VDS．VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选用DC65V．VDC＝VD*10%ⅳ，RCD排汇VRCD．MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实践选取的VRCD应为最大值的90%（这里重要是思考到开关电源各个元件的扩散性，温度漂移和期间飘移等起因得影响）。VRCD＝(VD-VDC-VDS)*90%留意：①VRCD是计算出实践值，再经过实验启动调整，使得实践值与实践值相吻合．②VRCD必定大于VOR的1.3倍．（假设小于1.3倍，则主MOS管的VD值选用就太低了）③MOS管VD应当小于VDC的2倍．（假设大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）④假设VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸发前途就影响电源效率。⑤VRCD是由VRCD1和VOR组成的ⅴ，RC期间常数τ确定．τ是依开关电源上班频率而定的，普通选用10~20个开关电源周期。三﹑实验调整VRCD值首先假定一个RC参数，R=100K/RJ15,C="10nF/1KV"。再上市电，应遵照先高压后高压，再由轻载到重载的准则。在实验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现抵达计算值，就应当立刻断电，待将R值减小后，重复以上实验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容＋极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）。一个适合的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的实验值等于实践计算值。四﹑实验中值得留意的现象输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的实验值假设大于以上实践计算的VRCD值，能否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，实践值是在最高输入电压时的计算结果，而如今是低输入电压。重负载是指开关电源或者到达的最大负载。重要是经过实验测得开关电源的极限功率。五﹑RCD排汇电路中R值的功率选用R的功率选用是依实测VRCD的最大值，计算而得。实践选用的功率应大于计算功率的两倍。编后语：RCD排汇电路中的R值假设过小，就会降落开关电源的效率。但是，假设R值假设过大，MOS管就存在着被击穿的风险。
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