IGBT可控硅
IGBT可控硅（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型功率管）是一种复合全控型电压驱动式电力半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成，兼具了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
IGBT可控硅的优点：
- 驱动功率小
- 饱和压降低
- 开关速度快
- 载流密度大
IGBT可控硅的应用领域：
- 交流电机
- 变频器
- 开关电源
- 照明电路
- 牵引传动
普通可控硅
普通可控硅（又称晶闸管）是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
普通可控硅的优点：
- 体积小
- 效率高
- 稳定性好
- 工作可靠
普通可控硅的应用领域：
- 调光灯
- 调速风扇
- 空调机
- 电视机
- 电冰箱
- 洗衣机
- 照相机
- 组合音响
- 声光电路
- 定时控制器
- 玩具装置
- 无线电遥控
- 摄像机
- 工业控制
IGBT可控硅与普通可控硅的比较
c/h2> IGBT可控硅和普通可控硅各有其优缺点，在不同的场合各有应用。总体来说，IGBT可控硅具有更高的开关速度、更高的工作频率、更低的导通压降，适合用于高频大功率场合。而普通可控硅具有更低成本、更强的抗过载能力，适合用于低频小功率场合。| 特性 | IGBT可控硅 | 普通可控硅 |
|---|---|---|
| 输入阻抗 | 高 | 低 |
| 导通压降 | 低 |
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