据报道，由于 SK 海力士的部分工程出现问题，英伟达所需的 12 层 HBM3E 内存将由三星独家供货，SK 海力士出局。
据了解，HBM 需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层，首批 HBM3E 产品均采用 8 层堆叠，容量为 2B。SK 海力士和三星分别在去年 8 月和 10 月向英伟达发送了样品。
此前有消息称，英伟达已经向 SK 海力士支付了约合 5.4 亿至 7.7 亿美元的预付款，供应下一代 HBM3E。
SK 海力士和三星都在推进 12 层堆叠 HBM3E 的开发，容量也将提升到 36GB，其中需要解决一些器件特性和可靠性验证问题。
上个月三星宣布，已开发出业界首款 12 层堆叠 HBM3E，提供了高达 1280GB/s 的带宽，预计今年下半年开始大规模量产。
不过市场消息，SK 海力士因部分工程问题，未能推出 12 层 HBM3E 产品，但计划从本月末开始批量生产 8 层 HBM3E 产品。
今年 2 月 27 日，三星电子官宣成功开发出业界首款 36GB 12H（12 层堆叠）HBM3E DRAM 内存。
同时相比于 8 层堆叠，其训练速度平均提高 34%，同时推理服务用户数量也可增加超过 11.5 倍。
据报道，三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜（TCNCF）技术，成功维持了 12 层产品的高度与其前身 8 层 HBM 芯片保持一致，满足了现有的 HBM 封装要求。
三星电子存储产品规划执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，这种技术在未来会带来更大的突破，尤其是在高层次堆叠方面，因为全球都在为此头疼的薄晶圆翘曲问题提供解决之道。
他强调，三星正在努力减少 NCF 材料的厚度，并且已经实现了当今市场上最小的芯片间隙（7 微米），如此一来就可以消除分层空隙，且新技术的进步提高了垂直密度超过 20%。
编辑：黄宇
来源：集成电路前沿，感知芯视界
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