功率二极管的分类 (功率二极管的类型主要有哪些)_可编程控制器

功率二极管：分类、工艺和特性分类根据不同的标准，功率二极管可分为以下几类：根据制造工艺扩散功率二极管：采用扩散技术制作，具有较低的正向电压降。外延功率二极管：采用外延技术制作，具有较高的反向耐压和较低的反向漏电流。根据特性参数 (trr)普通整流功率二极管：反向恢复时间较长，适用于低频整流。快恢复二极管：反向恢复时间较短，适用于中频整流。超快恢复二极管：反向恢复时间极短，适用于高频整流。肖特基二极管 (SBD)：采用金属-半导体结，具有非常低的正向电压降。根据结构螺栓型：采用螺栓连接，易于散热。平板型：采用平面封装，体积较小。工艺与结构功率二极管的基本结构为 pnn+ 结构或 p+pnn+ 结构。扩散功率二极管：采用扩散技术形成 pnn+ (pin) 结构。外延功率二极管：采用外延技术形成 p+pnn+ 结构。工作原理正向导通：当正向电压施加在功率二极管两端时，p+ 阳极区向 n 区注入空穴，n+ 阴极区向 n 区注入电子。当 n 区充满大量的非平衡载流子时，n 区内发生电导调制效应，使二极管处于正向导通状态。反向阻断：当反向电压施加在功率二极管两端时，p+n 结反偏，承担反向电压。当反向电压大于 p+n 结雪崩击穿电压时，二极管发生雪崩击穿，漏电流急剧增加。反向恢复：当撤去正向电压并同时施加反压时，二极管进入反向恢复过程。存储在 n 区中的非平衡载流子开始消失，反向电压加速其抽取，缩短反向恢复时间。二极管的构造分类点接触型二极管在锗或硅单晶片上压触金属针形成 PN 结。静电容量小，适用于高频电路。键型二极管在锗或硅单晶片上熔接金属细丝形成 PN 结。特性介于点接触型和合金型之间。常用于开关和检波。合金型二极管通过在 N 型半导体上合金金属形成 PN 结。正向电压降低，适用于大电流整流。扩散型二极管在 P 型杂质气体中加热 N 型半导体形成 PN 结。正向电压降低，适用于大电流整流。台面型二极管在扩散型二极管的基础上，腐蚀掉不必要的区域形成台面形。主要用于小电流开关。平面型二极管在硅单晶片上扩散 P 型杂质形成 PN 结，并采用氧化膜屏蔽作用实现选择性扩散。具有较高的稳定性和寿命。合金扩散型二极管合金型的变种，采用扩散技术改善性能。适用于高频开关。功率二极管的分类

1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。（a)全密封金属结构（b）塑料封装（2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装（4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4 图4、稳压二极管的图形符号稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。图5、硅稳压管伏安特性曲线（5）变容二极管变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。变容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如图6所示，几种常用变容二极管的型号参数见表一图6、变容二极管图形符号表一常用变容二极管型号产地反向电压（V）电容量（pF 电容比使用波段最小值最大值最小值最大值 2CB11 中国 3 25 2.5 12 UHF 2CB14 中国 3 30 3 18 6 VHF BB125 欧洲 2 28 2 12 6 UHF BB139 欧洲 1 28 5 45 9 VHF MA325 日本 3 25 2 10.3 5 UHF ISV50 日本 3 25 4.9 28 5.7 VHF ISV97 日本 3 25 2.4 18 7.5 VHF 70/IS2208 日本 3 25 2 11 5.5 UHF

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