在嵌入式系统中，非易失性存储器 (NVM) 用于存储程序数据和设定值，以便在下次断电后恢复。这意味着即使系统断电，这些数据和设定值也可以保持不变。
非易失性存储器类型
有几种类型的非易失性存储器，包括：
- EEPROM (电可擦除可编程只读存储器)：EEPROM 是一种非易失性存储器，可以以字节为单位擦除和编程。它通常用于存储小量数据，例如配置参数或校准数据。
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FRAM (铁功耗写入时功耗较高写入时功耗较低
非易失性存储器的优点
使用非易失性存储器具有以下优点：
- 数据保持：非易失性存储器中的数据在断电后仍能保持不变。
- 配置存储：非易失性存储器可用于存储系统配置参数，以便在系统断电后恢复。
- 日志记录：非易失性存储器可用于记录系统事件和错误，即使在系统断电后也能查看这些事件和错误。
非易失性存储器的应用
非易失性存储器在各种应用中都有使用，包括：
- 嵌入式系统（例如：微控制器、传感器节点）
- 工业控制系统
- 医疗设备
- 汽车系统
- 消费电子产品（例如：智能手机、平板电脑）
结论
非易失性存储器是一种重要的技术，它允许在嵌入式系统中存储程序数据和设定值，即使在系统断电后也能保持不变。EEPROM 和 FRAM 是两种主要类型的非易失性存储器，它们各有优缺点。根据特定应用的要求，可以仔细选择合适的非易失性存储器类型。
常见的非易失性存储器有哪几种?
常见的非易失性存储器有以下几种：
一、可编程只读内存：PROM（Programmable read-only memory）
其内部有行列式的_丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，_丝一经烧断便无法再恢复，亦即数据无法再更改。
二、电可擦可编程只读内存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
电子抹除式可复写只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可编程只读内存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。
四、电可改写只读内存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
内部所用的芯片与写入原理同EPROM，但是为了节省成本，封装上不设置透明窗，因此编程写入之后就不能再抹除改写。
五、闪存：Flash memory
是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。
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