据韩国媒体BusinessKea报道，业内领头羊SK海力士与三星电子计划年内分别实现1c纳米内存的商业化生产。
1c纳米内存技术
步入20至10纳米（nm）工艺阶段后，业界通常用数字+后缀的方式来标记内存代际。因此，1cnm便相当于美光的1-gammanm概念，代表着该领域内的第六个10+nm工艺代际。同时，三星对之前的1bnm的命名为12nm级别。
三星电子与SK海力士的计划
三星近期在Memcon2024行业会议中声称，计划于今年底以前实现1cnm工艺的量产。另据行业消息人士透露，SK海力士已确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。
SK海力士计谋抢先一步，争取在1cnm内存获得行业认可之后，快速满足微软、亚马逊等大客户的需求。
下一代内存技术的展望
展望未来，三星电子和SK海力士在下一代内存市场中将增加EUV光刻的应用，以此缩减线宽、提高速度和降低功耗。值得注意的是，美国企业美光已在1-gamma纳米节点尝试使用EUV技术并有望于2025年实现量产。
台湾公司南亚正在积极研发首款5内存产品，并计划于今年推向市场。
结论
1c纳米内存的商业化生产标志着内存技术迈入新时代。这种先进的工艺将带来更快的速度、更高的容量和更低的功耗，从而为未来的人工智能、大数据和云计算等应用奠定基础。
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