HBM4内存量产推进至2025年 SK海力士减速翻新 (HBM4内存堆叠技术门槛降低)
SK海力士宣布,方案于2025年下半年推出首款驳回12层重叠的HBM4 产品 ,而16层重叠版本的推出将会稍后。依据该 公司 上月与台积电签署的HBM基础裸片协作协定,原本估量HBM4内存要等到2026年才会...
SK海力士宣布,方案于2025年下半年推出首款驳回12层重叠的HBM4 产品 ,而16层重叠版本的推出将会稍后。依据该 公司 上月与台积电签署的HBM基础裸片协作协定,原本估量HBM4内存要等到2026年才会...
在芯片行业持续衰退的情况下,美国芯片制造商美光科技公司九年来首次超越韩国 SK 海力士公司成为全球动态随机存取存储器(DRAM)市场的第二大厂商。 根据台湾市场研究公司 TrendForce Corp. 周四的数据,美光科技在 1...
据 5 月 14 日消息,韩国 SK 海力士在 IEEEIMW 国际存储研讨会上宣布 HBM4E 内存的开发周期有望缩短至一年,并进一步透露相关细节。 公司技术专家 KimKwiWook 表示,计划采用 1cnm 制程的 32Gb...
三星、SK海力士加大晶圆投入,结束减产 据市场调研机构Omdia的研究报告,随着全球需求复苏,韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大晶圆投入,有效结束减产。 三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入...
根据财联社报道,韩国内存半导体行业对本土产业的投资兴趣增加,内存半导体价格在2023年末持续攀高。业者们指出,陆续有消弭的储存设备采购订单正在逐渐回归。 行业数据 数据显示,首尔半导体操作晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上...
韩国的两大存储器巨擘半导体企业三星和SK海力士的最新财务报告书中表示,截至今年6月末,两家公司的半导体库存额持续增加,合计超过了50万亿韩元(约1.2万亿韩元)。这是历史最高水平,存储器市场消化库存的压力很大,恢复速度并不快。 与...
据韩国媒体BusinessKea报道,业内领头羊SK海力士与三星电子计划年内分别实现1c纳米内存的商业化生产。 1c纳米内存技术 步入20至10纳米(nm)工艺阶段后,业界通常用数字+后缀的方式来标记内存代际。因此,1cnm...
2023年4月24日 SK海力士宣布扩大基础设施,包括HBM在内的新一代产能。此举旨在满足日益增长的AI半导体需求。 DRAM新工厂M15X SK海力士董事会决定将位于忠清北道清州市的M15X设为新的DRAM生产基地,...
2024年4月9日 - 随着制程技术的飞速发展,存储行业已昂首阔步迈入20~10nm制程的新纪元。在这个崭新的技术时代,业界以一种新颖的方式——1+字母的形式,为存储的世代命名。 1cnm,即业界所指的1-gammanm,它标志着...