据 5 月 14 日消息，韩国 SK 海力士在 IEEEIMW 国际存储研讨会上宣布 HBM4E 内存的开发周期有望缩短至一年，并进一步透露相关细节。
公司技术专家 KimKwiWook 表示，计划采用 1cnm 制程的 32Gb 裸片来制造 HBM4E 内存。值得注意的是，目前全球三大内存制造商都还未开始量产 1cnm（第六代 10+nm 级）制程 DRAM 内存颗粒。
早前报道，三星电子与 SK 海力士预计今年内实现 1cnm DRAM 的量产，而美光则需等到明年。新一代颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。
关于 HBM4E 内存的具体细节：
- 密度方面：升级至 32Gb DRAM 裸片后，12 层堆叠版将实现 48GB 单颗容量，16 层版甚至可达到64GB 的惊人规模，为应用提供更大空间。
- 能效方面：相较于 HBM4，HBM4E 内存的能效提高 30%。
- 带宽方面：带宽将提升 40%。
对于键合技术路线，KimKwiWook 表示混合键合存在良率问题，SK 海力士在下一代 HBM4 产品中采用此技术的可能性较小。
随着 HBM4E 内存的开发周期缩短，预计将在明年实现量产，为高性能计算、人工智能和数据中心等领域提供更强劲的内存解决方案。
本文原创来源：电气TV网，欢迎收藏本网址，收藏不迷路哦！
添加新评论