对于MOS管 你须要知道的那些事 (对于mos管,由于输入电阻大)

什么是MOS管？

MOS，是的缩写。MOSFET金属-氧化物 半导体 场效应 晶体管 ，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemonductField-EffectTransistor,MOSFET）。普通是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或许称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

一

MOS管型号示意方法

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极齐全绝缘而得名。在绝缘栅型场效应管中，运行最为宽泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS 功率模块 等。

按沟道半导体资料的不同，结型和绝缘栅型又分n沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

二

场效应管的型号命名方法

现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相反，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表资料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

三

晶体管形状封装

(TO)属于早期的封装 规格 ，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是拔出式封装设计。

TO-3P/247：是中 低压 、大电流MOS管罕用的封装方式， 产品 具备耐压高、抗击穿才干强等特点。

TO-220/220F：TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不用加绝缘垫;TO-220带金属片与两边脚相连，装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以调换经常使用。

TO-251：该封装产品重要是为了降落老本和增加产品体积，重要运行于中压大电流60A以下、低压7N以下环境中。

近年来，因为拔出式封装工艺焊接老本高、散热功能也不如贴片式产品，使得外表贴装市场需求量始终增大，也使得TO封装开展到外表贴装式封装。

TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是外表贴装封装。

TO-263是TO-220的一个变种，重要是为了提高消费效率和散热而设计，允许极高的 电流 和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。

MOS管的工作原理 mos管的工作原理与作用

1、pn结的形成pn结的形成是在p型半导体与n型半导体之间在电场的作用下的扩散运动形成的势垒区（domain）。

2、pn结的导电能力半导体中的电子必须从低能级跳到高能级，才能形成自由载流子（freecarrier）。因此当半导体内加反向偏压时（即加在p型和n型之间的电压），空穴由原来的s极漂移到e电极而电子由原来的p极漂移到d极，由于扩散作用使多数载流子在浓度差梯度的方向上集中从而形成少数载流子的注入-迁移现象。

3、pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时，少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。

请教mos管 作用

MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。

扩展资料：

当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。

另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器（Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器） 或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同， 但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的数字─模拟转换器（ADC）将获得的影像信号转变为数字信号输出。

mos管的作用及原理

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。 主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。 因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。 其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。 一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。 工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。 双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。 另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。 它们是电流控制装置和电压控制装置。 FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。 FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。 实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。 最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。 这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。