开关速度：这是 MOSFET 开关开和关的速度。(开关速率)
开关速度是 MOSFET 的重要特性，它决定了 MOSFET 开和关的速度。开关速度由以下因素决定： 栅极电荷 沟道电阻 寄生电容 栅极电荷 栅极电荷是栅极和沟道之间的电荷。栅极电荷...
这是
导通电阻：这是 MOSFET 导通时的漏极源极电阻。(导通电阻越小越好吗)
导通电阻（RDS(on)）是 MOSFET 在导通状态下漏极和源极之间的电阻。它是衡量 MOSFET 导通性能的重要参数。 导通电阻越小越好吗？ 一般情况下，导通电阻越小越好。这是因为较低的 RDS(on) 意味着在给定的...
漏极源极击穿电压：这是 MOSFET 漏极源极端子之间可以承受的最大电压。(漏极和源极如何区分)
MOSFET 漏极源极击穿电压HTML 格式 html 漏极源极击穿电压是 MOSFET 漏极源极端子之间可以承受的最大电压。当漏极源极电压超过击穿电压时，MOSFET 将发生击穿，导致大电流流过器件并可能损坏它。 漏极和源极如...
CAD-vs.-PLC-哪种技术更具难度-编程
这是两个不同的技术，没有什么优劣的对比，只是运行的畛域不同。 CAD即 计算机 辅佐设计，应用计算机及其图形设施协助设计人员启动设计上班。简称CAD。在工程和产品设计中，计算机可以协助设计人员负...